اگر به فرمول شار مغناطیسی دقت کنید، این رابطه برابر است با حاصلضرب میدان مغناطیسی در مساحت سطح موردنظر. با افزایش تعداد سیمها در سیملوله، قدرت میدان زیاد شده و در نتیجه شار مغناطیسی هم افزایش خواهد یافت.
اگر به فرمول شار مغناطیسی دقت کنید، این رابطه برابر است با حاصلضرب میدان مغناطیسی در مساحت سطح موردنظر. با افزایش تعداد سیمها در سیملوله، قدرت میدان زیاد شده و در نتیجه شار مغناطیسی هم افزایش خواهد یافت.
شار مغناطیسی کمیتی نردهای است که جهت نداشته ولی برای محاسبه آن به جهت میدان مغناطیسی و همچنین نیم خط عمود بر سطح نیاز دارد؛ بنابراین اگر میدان مغناطیسی موازی و هم راستا با سطح مورد نظر باشد، شار مغناطیسی نمیتواند از
برای بدست آوردن این نیرو مطابق با شکل زیر سیمی را تصور کنید که بین دو قطب مغناطیسی قرار گرفته است. همانطور که در شکل نیز مشخص شده، میدان B با استفاده از نقاطی نشان داده شده است.
جالب است بدانید که در هر دو حالت اختلاف انرژی پتانسیل بدست آمده، منفی خواهد بود. رابطه بالا مربوط به زمانی است که مسیر حرکت ذره و میدان همجهت باشند.
روش دیگر نیز استفاده از فرمول است که می توان مقاومت ظاهری یک سیم پیچ را با اندازه گیری ولتاژ دو سر سیم پیچ و همینطور جریان عبوری از آن به دست آورد که ما می توانیم مقاومت ظاهری بدست آمده را در فرمول قرار دهیم که فرمول ( ۲ پی
برای تولید یک میدان مغناطیسی انرژی لازم است تا هم در برابر میدان الکتریکی که یک میدان مغناطیسی در حال تغییر ایجاد می کند و هم برای تغییر مغناطیس هر ماده در داخل میدان مغناطیسی ، کار کند.
سلف قطعه ای پسیو و دو پایه است که در صورت عبور جریان از آن، انرژی الکتریکی را در میدان مغناطیسی ذخیره میکند و در مقابل تغییرات جریان الکتریکی از خود مقاومت نشان می دهد.
توجه داشته باشید که این معادله با معادله ی بدست آمده برای انرژی ذخیره شده در خازن شباهت زیادی دارد: (50-30) که در آن i 2 متناظر است با q 2 و ثابت L متناظر است با 1/ C .
این واحد نمایانگر توانایی سلف در ذخیره انرژی در میدان مغناطیسی است. همچنین، شار مغناطیسی ایجاد شده توسط سلف بر حسب وبر (Wb) اندازهگیری میشود و جریان گذرنده از سیم پیچ سلف بر حسب آمپر (A) تعریف میشود.
که در این رابطه r فاصله عمودی از سیم حامل جریان است.. این قسمت در کتاب فیزیک ۲ نظام جدید (۶-۳-۳) برای رشته های علوم تجربی و ریاضی و فیزیک حذف شده است و نیازی به مطالعه چگونگی محاسبه این میدان نخواهیم داشت.
پاسخ مثال ۱: با توجه به جهت جریان سیم و قاعده دست راست میدان مغناطیسی روی محور حلقه از بالا به سمت پایین است. از آنجایی که قطب n عقربه مغناطیسی در جهت میدان (به سمت پایین) قرار می گیرد، پس قطب s عقربه به سمت بالا خواهد ایستاد.
انرژی ذخیره شده در میدان مغناطیسی. از آنجایی که در یک سولنوئید، میدان مغناطیسی تولید شده با جریان حامل در آن مخالفت میکند، بنابراین بهمنظور برقراری جریان، بایستی از کار خارجی استفاده شود.
انرژی جنبشی توسط حرکت یک شیء یا اجزای آن تعیین میشود و انرژی پتانسیل بیانگر پتانسیل یک شیء برای حرکت است و معمولاً تابع موقعیت آن درون میدان است؛ یا ممکن است در آن ذخیره شده باشد.
سلف یا القاگر (Inductor) قطعه ای است که انرژی را به صورت میدان مغناطیسی در خود ذخیره می کند. در این مقاله به معرفی کامل سلف؛ انواع و کاربرد آن خواهیم پرداخت.
تصویر ۱: میدان مغناطیسی زمین و انحراف آن از محور چرخش. سوالی که در تصویر بالا مطرح میشود این است که «دمای کوری» (Curie Temperature) (دمایی که در دماهای بالاتر از آن برخی از مواد خاصیت مغناطیسی دائمی خود را از دست میدهند و در
سیملوله نیز مانند حلقه حامل جریان الکتریکی یک دو قطبی مغناطیسی ایجاد می کند یعنی خود سیملوله حامل جریان مانند یک آهنربا عمل می کند. بنابراین دارای قطب های s و n است. میدان مغناطیسی داخل سیملوله از قطب s به سمت قطب n است.
نیروی وارد بر سیم راست حامل جریان در میدان مغناطیسی: در رابطه زیر مشخص است که نیروی وارد بر سیم حامل جریان به اندازه جریان سیم و پارامترهای دیگری از جمله شدت میدان مغناطیسی و طول بخشی از سیم که در داخل میدان قرار دارد هم
انرژی مغناطیسی هرگاه یک منبع ولتاژی را که قادر به ایجاد ولتاژی به اندازه v است، به مداری متصل کنیم، در این مدار جریان الکتریکی برقرار میشود، اما هر ماده دارای یک مقاومت الکتریکی میباشد، بنابراین مجموع ولتاژ چشمه
در الکترومغناطیس کلاسیک، میدان مغناطیسی، میدان بدست آمده از بار الکتریکی در حال حرکت می باشد. به سخن ساده تر میدان مغناطیسی، حاصل تأثیر دو میدان الکتریکی (برای نمونه دو بار مثبت و منفی) بر روی هم است که به تشکیل شدن یک
پتانسیل الکتریکی (به فرانسوی: potentielle électrique) انرژی لازم (یا کار لازم) برای انتقال واحد بار الکتریکی از بینهایت به جسم یا نقطه مورد نظر است. پتانسیل الکتریکی یک کمیت نردهای (Scalar) است که معمولاً آن را با حرف V نشان میدهند
مجله علمی ایلیاد - میدان مغناطیسی یا آهنربایی کره زمین در حال ضعیف شدن است. اگر این کاهش در شدت میدان با همین آهنگ به پیش رود ظرف 1200 سال آینده قطب نماهای سراسر دنیا از کار خواهند افتاد تا مدتی به طرف همه جا ولی در واقع هیچ
که در این رابطه q بارالکتریکی ذره بر حسب C (کولن) و v اندازه سرعت ذره بر حسب m/s (متر بر ثانیه) و B اندازه میدان مغناطیسی بر حسب T (تسلا) و θ زاویه بین v و B بر حسب درجه است.. با توجه به مقدار سینوس در زاویه های صفر و ۱۸۰ درجه که
همانگونه که در مطلب مقدمه میدان مغناطیسی نیز عنوان شد، میدان مغناطیسی ناشی از سیم حامل جریان در فاصله r از آن برابر با B = μ 0 I / 2 π r B enspace =enspace mu_0I/2 pi r B = μ 0 I /2 π r است که با استفاده از قانون آمپر بدست آمده. نهایتا کل شار
، نیروی خالص بدست آمده روی کل سیم به شکل زیر بدست میآید. ۰ تا θ دوران میکند، تغییرات انرژی آن برابر با کار انجام شده توسط میدان مغناطیسی است که با استفاده از رابطه زیر قابل محاسبه است. اگر
آموزش رایگان میدان های مغناطیسی در ماده در الکترومغناطیس ۱، به صورت گام به گام و کاربردی و با زبان فارسی، با تدریس دکتر متین هنردوست
در یک میدان مغناطیسی یکنواخت ظرفیت سلف (خودالقایی) از رابطه زیر بدست می آید: که در آن: L نمایانگر ظرفیت سلف (به هانری) N تعداد دورهای سیم پیچ; μ نفوذپذیری مغناطیسی; A مساحت مقطع هسته; l طول هسته است.
میدان مغناطیسی تصویری است که ما به عنوان ابزاری برای توصیف نحوه توزیع نیروی مغناطیسی در فضای اطراف و درون یک ماده مغناطیسی استفاده می کنیم. انرژی مغناطیسی ذخیره شده
اگر مطالب میدانهای الکتریکی و مغناطیسی را مطالعه کرده باشید، میدانید که این میدانها حاوی انرژی هستند. با توجه به این که یک موج الکترومغناطیسی از دو میدان عمود بر هم تشکیل شده، بنابراین یک موج الکترومغناطیسی نیز
در الکترومغناطیس کلاسیک، میدان مغناطیسی یک میدان برداری است که تأثیر مغناطیسی بر بارهای الکتریکی متحرک، جریانهای الکتریکی و مواد مغناطیسی را توصیف میکند.
آهنربا مادهای است که میدان مغناطیسی تولید میکند و دارای قطب شمال و جنوب است و مواد فرومغناطیسی را به خود جذب میکند (فلزاتی مانند آهن، نیکل یا کبالت که جذب آهنربا میشوند، می توانند مغناطیسی شوند).
انرژی ذخیره شده در یک خازن معادل مساحت زیر نمودار ولتاژ اندازه گیری شده در یک خازن در برابر کل بار خازن است. که وقتی بجای q معادل آن را جایگزین کنیم، به صورت زیر بدست می آید: فرمول انرژی
نیرو یکی از مهمترین مباحث فیزیک است. بر طبق قانون دوم نیوتن، نیرو برابر با حاصلضرب جرم جسم در شتاب حرکت آن است و با واحد نیوتن اندازهگیری میشود.بنابراین، با دانستن جرم و شتاب، نیرو به دست خواهد آمد.
در فصل قبل یاد گرفتید که شار مغناطیسی گذرنده از یک پیچه از رابطه زیر بدست می آید: در این رابطه b بزرگی میدان ، a بزرگی بردار مساحت ، آلفا زاویه بین بردار میدان و بردار مساحت و فی شار مغناطیسی گذرنده از پیچه است.
این میدانها روی ذرات باردار اثر میگذراند. دو نوع بار الکتریکی داریم: بار الکتریکی مثبت: ذرهای زیراتمی مانند پروتون، بار الکتریکی مثبت دارد. این ذره در هسته اتم قرار گرفته است.; بار الکتریکی منفی: ذرهای زیراتمی
در راستای ارائه مفاهیم مرتبط با فیزیک الکتریسیته، در این مطلب قصد داریم تا در مورد شار مغناطیسی و چگالی شار مغناطیسی بحث کنیم. البته پیشنهاد میشود به منظور درک بهتر در ابتدا مطالب میدانهای الکتریکی و مغناطیسی را